Technik zur Bereitstellung von Verspannungsquellen in Transistoren in unmittelbarer Nähe zu einem Kanalgebiet durch Vertiefen von Drain- und Source-Gebieten

摘要

Durch Absenken von Drain- und Sourcegebieten kann eine hoch verspannte Schicht, etwa eine Kontaktätzstoppschicht, in der Vertiefung gebildet werden, um die Verformungserzeugung in dem benachbarten Kanalgebiet eines Feldeffekttransistors zu verbessern. Ferner kann ein verformtes Halbleitermaterial in unmittelbarer Nähe zu dem Kanalgebiet angeordnet werden, wobei eine unerwünschte Relaxationswirkung von Metallsiliziden reduziert oder vermieden wird, wodurch auch eine erhöhte Effizienz für die Verformungserzeugung gewährleistet ist. In einigen Aspekten werden beide Effekte kombiniert, um einen noch effizienteren verformungsinduzierenden Mechanismus zu erhalten.