半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种半导体器件，其在半导体衬底上方具有彼此接近并构成非易失性存储器的控制栅电极和存储栅电极。存储栅电极的高度低于控制栅栅电极的高度。金属硅化物膜形成在控制栅电极的上表面上方，但不形成在存储栅电极的上表面上方。存储栅电极在其上表面上方具有由氧化硅制成的侧壁绝缘膜。该侧壁绝缘膜在用于在存储栅电极和控制栅电极的侧壁上方形成相应侧壁绝缘膜的同一步骤中形成。本发明使得可以提高具有非易失性存储器的半导体器件的产品成品率和性能。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一栅电极和第二栅电极，它们形成在半导体衬底上方且彼此相邻；第一绝缘膜，形成在所述第一栅电极和所述半导体衬底之间；以及第二绝缘膜，形成在所述第二栅电极和所述半导体衬底之间以及所述第一栅电极和所述第二栅电极之间，并在所述第二绝缘膜内部具有电荷累积部分，其中金属硅化物膜形成在所述第一栅电极的上表面上方，但不形成在不与所述第二绝缘膜接触的所述第二栅电极的表面在所述第一栅电极一侧上的端部部分及其附近区域处。