| 发明名称 | Ⅲ族氮化物半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 一种III族氮化物半导体发光元件，其包含具有由III族氮化物半导体形成的多量子阱结构的发光层。该发光层具有多个阱层，并且该多个阱层形成为具有彼此相同的发射波长。 | ||
| 申请公布号 | CN101051666A | 申请公布日期 | 2007.10.10 |
| 申请号 | CN200710093707.1 | 申请日期 | 2007.04.05 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社 | 发明人 | 瀧哲也 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种III族氮化物半导体发光元件，包含：发光层，其包含含有III族氮化物半导体的多量子阱结构，其中所述发光层包含多个阱层，和所述多个阱层形成为具有彼此相同的发射波长。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||