| 发明名称 | 一种厚膜绝缘层上硅材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制备厚膜SOI(Silicon on insulator)材料的方法，其特征在于利用SIMOX技术制备的薄SOI材料作为衬底，然后利用气相外延工艺进行外延生长单晶硅层。用该方法制备的SOI材料可以用作光波导材料，外延层厚度可以根据需要控制，外延层表面平整度优于用键合减薄方法制备的SOI材料。外延生长时可以选用SiCl<SUB>4</SUB>，SiHCl<SUB>3</SUB>，SiH<SUB>2</SUB>Cl<SUB>2</SUB>或SlH<SUB>4</SUB>作为硅源，外延掺杂类型可以根据需要选择，外延生长前衬底用H<SUB>2</SUB>高温烘烤改善表面状况。外延层硅层厚度为5～10μm，沉积速率为0.3～0.8μm/min。 | ||
| 申请公布号 | CN100342492C | 申请公布日期 | 2007.10.10 |
| 申请号 | CN03115827.7 | 申请日期 | 2003.03.14 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 张峰;程新利;林志浪;王永进 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 1、一种厚膜绝缘层上硅材料的制备方法，利用SIMOX工艺制备的SOI材料作为衬底，采用SiCl4或SiHCl3为硅源，进行外延生长，其特征在于衬底清洗后在外延生长前先用HCl气体1200-1220℃刻蚀衬底0.5～1分钟，去除衬底表面氧化层；然后SOI衬底在生长温度下用H2气烘烤0.5～1小时，去除残余的表面氧化层；外延生长时的温度1000～12000℃，生长速率0.3～0.8μm/min。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||