| 发明名称 | 单栅非易失性快闪存储单元 | ||
| 摘要 | 一种具有单多晶硅栅、与常规的逻辑工艺相兼容的非易失性浮栅存储单元包括第一导电类型的衬底。第二导电类型的第一和第二区域在该衬底中，彼此间隔开以限定其间的沟道区域。第一栅与该衬底绝缘且位于该沟道区域的第一部分和第一区域之上，并且与其充分电容性耦接。第二栅与该衬底绝缘，且与该第一栅间隔开，并且位于沟道区域的与第一部分不同的第二部分之上，且与第二区域少量重叠或不重叠。 | ||
| 申请公布号 | CN101051653A | 申请公布日期 | 2007.10.10 |
| 申请号 | CN200710101654.3 | 申请日期 | 2007.03.12 |
| 申请人 | 硅存储技术公司 | 发明人 | B·陈;Y·W·胡;D·李 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;陈景峻 |
| 主权项 | 1、一种非易失性浮栅存储单元，包括：第一导电类型的衬底；在所述衬底中的第二导电类型的第一和第二区域，彼此间隔开，限定在其间的沟道区域；第一栅，其与所述衬底绝缘，并且位于该沟道区域的第一部分和第一区域之上且与其充分电容性耦接；以及第二栅，其与所述衬底绝缘，与第一栅间隔开并且位于沟道区域的与第一部分不同的第二部分之上，且与第二区域少量重叠或不重叠。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||