半导体电阻及制造该半导体电阻的半导体制程

摘要

本发明揭示一种半导体电阻及制造所述半导体电阻的半导体制程。所述半导体电阻包含一基板、一深井、至少二接触区以及一掺杂区。所述基板是用第一型离子掺杂。所述深井是用第二型离子掺杂，且形成在基板中。接触区是用第二型离子重掺杂，且形成在所述深井中。掺杂区是用第一型离子掺杂，且与所述深井分离一距离。其中，第一型离子及第二型离子是为互补，且所述深井与所述掺杂区间的距离可用以调整崩溃电压。此外，所述半导体制程包含以下步骤：形成一含有第一型离子的深井；形成一含有第二型离子的掺杂区；形成一氧化层；以及在所述深井中形成含有第一型离子的至少二接触区。

主权项

1.一种具有一崩溃电压的半导体电阻，其特征在于，包含：一基板，是用第一型离子掺杂；一深井，是用第二型离子掺杂，且形成在所述基板中；至少二接触区，是用所述第二型离子重掺杂，且形成在所述深井中；以及一掺杂区，是用所述第一型离子掺杂，且与所述深井分离一距离；其中，所述第一型离子及所述第二型离子是为互补，且所述深井与所述掺杂区间的距离调整所述崩溃电压。