铁电存储电路及其制造方法

摘要

本发明提供了一种铁电存储电路，包括铁电聚合物薄膜形式的铁电存储单元以及在其相对表面分别接触所述铁电存储单元的第一和第二电极，由此所述单元的极化状态可以通过向所述电极施加电压来设置、转换以及检测，其特征在于所述电极中至少一个包括：至少一个接触层，所述至少一个接触层包含与所述存储单元接触的导电聚合物；以及与所述导电聚合物接触的金属薄膜的第二层，所述第二层是可选的，由此，所述电极中至少一个或者仅包括导电聚合物接触层或者包括导电聚合物接触层和金属薄膜层的组合。本发明还提供了相对应的铁电存储电路的制造方法。本发明可以改善采用铁电聚合物薄膜作为存储材料的铁电存储电路中的极化和转换特性。

主权项

1.一种铁电存储电路(C)，它包括铁电聚合物薄膜形式的铁电存储单元(F)以及在其相对表面分别接触所述铁电存储单元(F)的第一和第二电极(E1、E2)，由此所述单元的极化状态可以通过向所述电极(E1、E2)施加电压来设置、转换以及检测，其特征在于所述电极(E1、E2)中至少一个包括：至少一个接触层，所述至少一个接触层包含与所述存储单元(F)接触的导电聚合物；以及与所述导电聚合物接触的金属薄膜的第二层，所述第二层是可选的，由此，所述电极(E1、E2)中至少一个或者仅包括导电聚合物接触层或者包括导电聚合物接触层和金属薄膜层的组合。