发明名称 |
制造应变MOSFET的结构和方法 |
摘要 |
本发明提供了一种形成缺陷减少的应变Si薄膜的方法和器件,其中所述应变Si薄膜形成在非导电衬底表面上竖直定向的翅片。所述应变Si薄膜或翅片可以形成半导体沟道,该沟道具有较小的尺寸,同时也具有较少的缺陷。所述应变Si翅片通过在驰豫SiGe块侧面上生长Si而形成。电介质栅极,例如氧化物,高k材料,或两者的组合可以在所述应变Si薄膜表面上形成。此外,在基本上不影响应变Si薄膜中的应力的情况下,驰豫SiGe块可以去除,而可以在以前被驰豫SiGe块占据的表面上形成第二栅极氧化物。因此,可以形成具有在非导电性衬底表面上竖直定向的应变Si薄膜的半导体器件,其中所述应变Si薄膜的定向可以使其形成小尺寸的沟道,而可以接近两侧和顶部,以便形成单栅极,双栅极或更多栅极的MOSFET和翅片式FET,具有缺陷数目减少的和/或尺寸减小的沟道。 |
申请公布号 |
CN100342507C |
申请公布日期 |
2007.10.10 |
申请号 |
CN200510004271.5 |
申请日期 |
2005.01.04 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
史蒂文·W.·贝德尔;布鲁斯·B.·多丽丝;张郢;朱慧珑 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
1.一种用于形成半导体结构的方法,包含:在衬底上形成驰豫SiGe块;在驰豫SiGe块的与衬底相邻的一侧上形成应变Si薄膜,从而形成应变沟道区域。 |
地址 |
美国纽约 |