化学机械研磨制程控制方法

摘要

本发明提供一种化学机械研磨制程控制方法，帮助在半导体制程中从一批量的晶圆移除材料量的均匀性，且可适用于复杂的制程，例如：浅沟槽隔离制造程序。此方法包括：提供具有一组试作晶圆与一组剩余晶圆的数个晶圆，依据初始制程时间对试作晶圆进行研磨，决定出试作晶圆的补偿时间，再将初始制程时间加上补偿时间以决定更替时间，并依据更替时间对剩余晶圆进行研磨。

主权项

1、一种化学机械研磨制程控制方法，其特征在于包括以下步骤：提供数个晶圆，具有一组试作晶圆与一组剩余晶圆，并定义该数个晶圆研磨的目标厚度；以一研磨头根据一初始制程时间研磨每一该试作晶圆，并量测每一该试作晶圆研磨后厚度；决定每一该试作晶圆的补偿时间，其中该补偿时间是由该目标厚度与该研磨后厚度差值以及一研磨移除率决定；通过该初始制程时间加上该补偿时间，决定该研磨头的更替制程时间；以及根据该研磨头的更替制程时间研磨该组剩余晶圆。