基于氮化物的半导体发光二极管

摘要

一种基于氮化物的半导体LED，包括：衬底；n型氮化物半导体层，形成在衬底上；有源层，形成在n型氮化物半导体层的预定区域上；p型氮化物半导体层，形成在有源层上；透明电极，形成在p型氮化物半导体层上；p型电极焊盘，形成在透明电极上；一对p型连接电极，形成为从p型电极焊盘延伸的线形，以便相对于邻近p型电极焊盘的透明电极的一侧具有小于90°的倾角；一对P电极，从p型连接电极的两端沿n型电极焊盘的方向延伸，p电极平行于相邻的透明电极的一侧形成；以及n型电极焊盘，形成在n型氮化物半导体层上，在其上并不形成有源层，使得n型电极焊盘面向p型电极焊盘。

主权项

1.一种基于氮化物的半导体LED，包括：衬底；n型氮化物半导体层，形成在所述衬底上；有源层，形成在所述n型氮化物半导体层的预定区域上；p型氮化物半导体层，形成在所述有源层上；透明电极，形成在所述p型氮化物半导体层上；p型电极焊盘，形成在所述透明电极上；一对p型连接电极，形成为从所述p型电极焊盘延伸的线形，以便相对于邻近所述p型电极焊盘的所述透明电极的一侧具有小于90°的倾角；一对p电极，从所述p型连接电极的两端沿所述n型电极焊盘的方向延伸，所述p电极形成为与相邻的透明电极的一侧平行；以及n型电极焊盘，形成在所述n型氮化物半导体层上，在其上并不形成有源层，使得所述n型电极焊盘面向所述p型电极焊盘。