发明名称 中孔薄膜及其制造方法
摘要 本发明提供一种空孔率高、机械强度强的导电性多孔质薄膜,本发明的中孔薄膜通过以下工序形成:调制含有磷酸和界面活性剂的前驱体溶液的工序、将所述前驱体溶液供给到基板上形成前驱体薄膜的工序、使含有金属的蒸汽与在形成所述薄膜的工序中得到的前驱体薄膜接触的接触工序、所述含有金属的蒸汽与磷酸反应形成自组织化薄膜的工序、使界面活性剂从自组织化薄膜脱离的脱离工序,并且,具有磷酸金属盐(M-PO<SUB>X</SUB>)骨架的交联结构体以包围周期性排列的空孔的方式排列。
申请公布号 CN101053067A 申请公布日期 2007.10.10
申请号 CN200580036078.8 申请日期 2005.10.20
申请人 国立大学法人大阪大学;罗姆股份有限公司 发明人 西山宪和;高冈将树;神泽公
分类号 H01L21/288(2006.01);H01L31/04(2006.01) 主分类号 H01L21/288(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 李贵亮
主权项 1、一种中孔薄膜,其中,具有磷酸金属盐M-POX骨架的交联结构体以包围周期性排列的空孔的方式形成。
地址 日本国大阪府