发明名称 电镀装置、电镀方法和半导体器件的制造方法
摘要 根据本发明的一个实施例,提供一种电镀装置,包括:贮存电镀溶液的电镀溶液槽;在电镀溶液槽中固定其上形成籽晶层的衬底的固定器;放在电镀溶液槽中的第一阳极,该第一阳极由氧化-还原电位比构成籽晶层的金属的氧化-还原电位更高的阳极金属构成,并且电连接到由固定器固定的衬底的籽晶层上;以及放在所述电镀溶液槽中的第二阳极,该第二阳极能够在由固定器固定的衬底的籽晶层之间施加电压。
申请公布号 CN100342062C 申请公布日期 2007.10.10
申请号 CN200410096554.2 申请日期 2004.11.30
申请人 株式会社东芝 发明人 丰田启;松井嘉孝;八寻和之;山边纯成;三岛志朗;永松贵人
分类号 C25D7/12(2006.01);C25D5/18(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 C25D7/12(2006.01)
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 杨晓光;李峥
主权项 1.一种电镀装置,包括:贮存电镀溶液的电镀溶液槽;在所述电镀溶液槽中固定其上形成籽晶层的衬底的固定器;放在所述电镀溶液槽中的第一阳极,该第一阳极由氧化-还原电位比构成籽晶层的金属的氧化-还原电位更高的阳极金属构成,并且电连接到由所述固定器固定的衬底的籽晶层上;放在所述电镀溶液槽中的第二阳极,该第二阳极能够在其与由所述固定器固定的衬底的籽晶层之间施加电压;以及放在所述电镀溶液槽中的隔断墙或隔膜,其将由所述固定器固定的衬底浸入电镀溶液的区域与放置所述第一阳极的区域分开。
地址 日本东京都