形成氧化物膜的方法和氧化物沉积设备

摘要

本发明涉及一种氧化物膜形成方法和一种氧化物沉积设备，其使得可能通过在旋转气体注射器时将包括SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、TEOS、DCS、HCD和TSA中的至少一者的含硅气体、吹扫气体和包括O₂、N₂O、O₃、H₂O和H₂O₂中的至少一者的反应气体分别连续地且同时地供应到反应空间中来以350℃或更低的低温形成氧化物膜，且可能沿着具有微图案的下部结构的阶梯形成具有均匀厚度的氧化物膜，因为阶梯覆盖由于原子层沉积工艺而得以改进。

主权项

1.一种在衬底上形成氧化物膜的方法，其包含：将多个衬底放置在反应空间中的衬底安装单元上；和通过具有多个注射零件的气体注射器将过程气体供应到所述衬底上，其中所述供应过程气体的步骤包括：通过所述气体注射器的第一注射零件供应包含SiH4、Si2H6、Si3H8、TEOS、DCS、HCD和TSA中的至少一者的含硅气体；通过所述气体注射器的第二注射零件供应吹扫气体；通过所述气体注射器的第三注射零件供应包含O2、N2O、O3、H2O和H2O2中的至少一者的反应气体；通过所述气体注射器的第四注射零件供应吹扫气体；和允许所述第一到第四注射零件循序地经过所述衬底。