发明名称 晶体生长的石英坩埚镀碳膜装置
摘要 一种晶体生长的石英坩埚镀碳膜装置,包括加热炉、放置被镀膜石英坩埚的沉淀室和供气控制器。加热炉包括炉体、安装在炉体上的加热元件和控温测温器,炉体的炉膛下部设置有用于安放沉淀室的支座;沉淀室包括一端开口的管状本体和封闭管状本体端口的塞子,所述塞子上插有与管状本体内孔相通的进气管和排气管;供气控制器包括输气管系和控制阀,所述输气管系含有两条分别与插入沉淀室管状本体的进气管和插入被镀膜石英坩埚的进气管连接的输气管,设置有甲烷气体进口和惰性保护气体进口,所述控制阀安装在输气管系的管路上,控制惰性保护气体进入沉淀室管状本体和被镀膜石英坩埚及控制甲烷气体进入被镀膜石英坩埚。
申请公布号 CN200958115Y 申请公布日期 2007.10.10
申请号 CN200620035962.1 申请日期 2006.10.23
申请人 四川大学 发明人 赵北君;朱世富;张建军;何知宇;陈宝军;唐世红
分类号 C23C16/26(2006.01);C23C16/02(2006.01);C23C16/56(2006.01) 主分类号 C23C16/26(2006.01)
代理机构 成都科海专利事务有限责任公司 代理人 黄幼陵
主权项 1、一种晶体生长的石英坩埚镀碳膜装置,其特征在于包括加热炉、放置被镀膜石英坩埚的沉淀室(8)和供气控制器(11),加热炉包括炉体(1)、安装在炉体上的加热元件(4)、控温器,炉体的炉膛(5)下部设置有用于安放沉淀室的支座(7),沉淀室(8)包括一端开口的管状本体和封闭管状本体端口的塞子(9),所述塞子上插有与管状本体内孔相通的进气管(12)和排气管(10),供气控制器(11)包括输气管系和安装在输气管系管路上的控制阀。
地址 610065四川省成都市一环路南一段24号