| 发明名称 | 具有用于能量输送和在中频范围内去耦的嵌入式电容器阵列的封装及其构成方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一个实施例提供了一种用于在1MHz至3GHz的中频范围内向IC提供低噪声电源封装的器件，包括在所述封装中安装嵌入式离散陶瓷电容器阵列、和可任选的平面电容器层。另一实施例提供了一种用于在1MHz至3GHz的中频范围内向IC提供低噪声电源封装的器件，包括使用的是具有不同谐振频率的嵌入式离散陶瓷电容器阵列，所述阵列以使得电容器阵列的阻抗相对频率的曲线在临界中频范围内产生等于或低于目标阻抗值的阻抗值的方式排列。 | ||
| 申请公布号 | CN101051633A | 申请公布日期 | 2007.10.10 |
| 申请号 | CN200610136567.7 | 申请日期 | 2006.10.20 |
| 申请人 | 乔治亚技术研究公司 | 发明人 | M·斯瓦米纳杉;E·安基;L·万;P·穆萨纳 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01);H01L25/16(2006.01);H01L23/64(2006.01);G06F17/50(2006.01) | 主分类号 | H01L25/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 朱黎明 |
| 主权项 | 1.一种用于在1MHz至3GHz的中频范围内向IC提供低噪声电源封装的器件，包括安装在所述封装中嵌入式离散陶瓷电容器阵列和可任选的平面电容器层。 | ||
| 地址 | 美国乔治亚州 | ||