发明名称 射频多电容耦合等离子体表面处理设备
摘要 本实用新型提供一种射频多电容耦合等离子体表面处理设备,包括一个壳体、真空室、射频电源、进气和抽气系统,其中,在壳体上部安装一真空室,中部安装射频电源、真空计和气体阀门,在壳体底部空间或一侧放置真空泵,在真空室正面设有带玻璃观察窗的开启门,在真空室内的中部设有一与真空室壁绝缘的平板射频电极,在该射频电极的两侧分别对称分布有平板悬浮电极和平板地电极,该射频电极与射频电源连接,该平板地电极与壳体连接并接地,需要处理的材料和需要消毒的器械可以放置在电极之间通过等离子体消毒。该设备消毒灭菌快,不会对人体和环境造成污染,不会对敏感医疗器械造成热损伤。
申请公布号 CN200957197Y 申请公布日期 2007.10.10
申请号 CN200520136518.4 申请日期 2005.12.14
申请人 中国科学院光电研究院 发明人 王守国
分类号 A61L2/14(2006.01) 主分类号 A61L2/14(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 周国城
主权项 1、一种射频多电容耦合等离子体表面处理设备,包括一个壳体、真空室、射频电源、进气和抽气系统,其特征在于:在真空室内的中间位置设有一个与壳体绝缘的平板射频电极,在该射频电极的上下两侧分别对称设有平板悬浮电极和平板地电极,该射频电极、悬浮电极和地电极之间设有间隙,该射频电极与射频电源连接,该平板地电极与壳体连接并接地,需要处理的材料和需要消毒的器械放置在电极之间进行等离子体消毒。
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