| 发明名称 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置具有：支持基片；在支持基片上的块状成长层形成第1元件的块状元件区域；在支持基片的埋入绝缘膜上的硅层形成元件的SOI元件区域；位于这些区域的边界的边界层。在块状成长层形成元件的块状元件区域的元件形成面，与在埋入绝缘膜上的硅层形成元件的SOI元件区域的元件形成面高度大致相等。 | ||
| 申请公布号 | CN100342539C | 申请公布日期 | 2007.10.10 |
| 申请号 | CN02149518.1 | 申请日期 | 2002.09.27 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 山田敬;永野元;水島一郎;佐藤力;親松尚人;新田伸一 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 孙敬国 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，具有：支持基片；在上述支持基片上有块状结晶成长的块状成长层，具有在上述块状成长层形成元件的第1元件形成面的块状元件区域，上述块状成长层包括硅块状成长层和硅锗块状成长层；形成在上述块状成长层中用于分隔块状元件的第1元件分离；在上述支持基片上有埋入绝缘膜和该埋入绝缘膜上的SOI层，具有在上述SOI层形成元件的第2元件形成面的SOI元件区域；形成在上述SOI元件区域中用于分隔SOI元件的第2元件分离；位于上述块状元件区域和SOI元件区域的边界的边界层，其特征是：上述第1元件形成面和第2元件形成面，位于相同高度。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||