发明名称 |
磁控管 |
摘要 |
一种磁控管,包括具有至少一个叶片(3)的阳极(2),其中该阳极限定多个腔体。介质谐振器(7)设置成与至少一个叶片连接。介质谐振器包括损耗部分。该谐振器在使用中至少部分吸收在磁控管的预定工作模式所下产生的辐射,例如pi-1模式。如果传输,在pi-1模式中产生的功率将对其它电子器件进行干扰。谐振器可以具有陶瓷材料,如氧化铝。损耗材料可以包括含碳陶瓷。 |
申请公布号 |
CN100342478C |
申请公布日期 |
2007.10.10 |
申请号 |
CN03806170.8 |
申请日期 |
2003.03.17 |
申请人 |
E2V技术(英国)有限公司 |
发明人 |
M·B·C·布拉迪 |
分类号 |
H01J25/50(2006.01);H01J23/54(2006.01) |
主分类号 |
H01J25/50(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
廖凌玲 |
主权项 |
1.一种磁控管,包括阳极和介质谐振器,其中该阳极具有限定多个腔体的至少一个叶片,该介质谐振器的一部分是损耗的,并与至少一个叶片连接,该谐振器被设置成在使用中至少部分衰减在磁控管的预定工作模式下所产生的辐射。 |
地址 |
英国埃塞克斯郡 |