发明名称 |
有机电致发光二极管的控制电路及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种有机电致发光二极管的控制电路,其包含第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管与电容。其中,第一薄膜晶体管的栅极电连接扫描线,第一薄膜晶体管的第一源极/漏极电连接数据线。第二薄膜晶体管的栅极电连结第一薄膜晶体管的第二源极/漏极,第二薄膜晶体管的第三源极/漏极电连接工作电压,第二薄膜晶体管的第四源极/漏极电连接有机电致发光二极管。电容的一端电连接一参考电压,另一端电连接第二薄膜晶体管的栅极。此电容的介电层的厚度或材料异于第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管其中之一的栅极介电层的厚度或材料。 |
申请公布号 |
CN100342525C |
申请公布日期 |
2007.10.10 |
申请号 |
CN200510118411.1 |
申请日期 |
2005.10.28 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
彭仁杰;张孟祥 |
分类号 |
H01L21/84(2006.01);H01L27/12(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/84(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种有机电致发光二极管的控制电路的制造方法,至少包含下列步骤:提供绝缘基材;形成第一栅极、电容的下电极以及第二栅极于该绝缘基材之上;形成第一栅极介电层及第一沟道区于至少部分该第一栅极之上及第二栅极介电层及第二沟道区于至少部分该第二栅极之上;形成蚀刻终止层覆盖于该绝缘基材之上;图案化该蚀刻终止层,以暴露出该第一沟道区及该第二沟道区的部分上表面以适用于形成源极/漏极接触和暴露出该第二栅极的部分上表面;依序形成掺杂半导体层以及导体层覆盖于该绝缘基材之上;以及图案化该导体层以及该掺杂半导体层,以形成源极/漏极于该第一沟道区及该第二沟道区之上、形成连接线以电连接该第一沟道区上的漏极与该第二栅极、和形成该电容的上电极。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |