发明名称 具有高堆积密度的二氧化钛-二氧化硅混合晶粒及其生产方法和用途
摘要 一种生产具有高堆积密度并包括以二氧化钛为主成分及以二氧化硅为辅助成分的二氧化钛-二氧化硅混合晶粒的方法,该方法包括在加热至600℃或更高的氧或水蒸气中将各自加热至600℃或更高的气态卤化钛和气态卤化硅分解以获得包含二氧化钛和二氧化硅的粉末,将所获得的粉末加热到300至600℃以降低粉末中由原材料产生的卤化氢的浓度至1质量%或更低,然后对粉末进行离解聚集或空间结构的处理。
申请公布号 CN100341790C 申请公布日期 2007.10.10
申请号 CN200380107611.6 申请日期 2003.12.26
申请人 昭和电工株式会社 发明人 小古井久雄;田中淳
分类号 C01G23/07(2006.01);C01G23/00(2006.01);A61K8/29(2006.01);C08K3/36(2006.01);C09C1/36(2006.01);A01G9/20(2006.01) 主分类号 C01G23/07(2006.01)
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 林柏楠;刘金辉
主权项 1、一种生产具有高堆积密度并包含以二氧化钛为主成分、以二氧化硅为辅助成分的二氧化钛-二氧化硅混合晶粒的方法,该方法包括:在于600℃或更高的温度下加热过的氧或水蒸气的存在下,将各自于600℃或更高的温度下加热过的气态卤化钛和气态卤化硅分解,从而获得包含二氧化钛和二氧化硅的粉末,将获得的粉末于300至600℃加热,从而将粉末中由原材料产生的卤化氢的浓度降低至1质量%或更低,然后对粉末进行向具有多个不同形状的旋转叶片的容器中装入粉末、且旋转叶片以4至60米/秒的圆周速度旋转的搅拌处理,以离解所述粉末的聚集结构或空间结构,从而所得的二氧化钛-二氧化硅混合晶粒具有20至200m2/g的BET比表面积和0.2g/cm3至小于0.6g/cm3的堆积密度。
地址 日本东京都