同时制造自对准接触窗和局部内连线的方法

摘要

本发明是关于半导体元件，特别是有关于半导体存储器元件结构及制造此元件结构的改良工艺。此改良工艺容许自对准接触窗和局部内连线能同时形成。此工艺还容许自对准接触窗与局部内连线之间的最小距离要求(minimal distance requirement)得以加宽，可使自对准接触窗和局部内连线的图案化工艺较为容易。上述加宽的最小距离要求也使得存储单元结构有更进一步的缩小空间。此外，本发明自对准接触窗和局部内连线的改良结构，也具有绝佳的隔离特性。

主权项

1.一种在一半导体基板上制造多个半导体元件的方法，包括下列步骤：在该半导体基板上形成多个多层结构，其中在所述多层结构之间及下方有一主动源极及漏极元件区；在有所述多层结构的该半导体基板上，形成一蚀刻终止层；形成一第一介电层在该蚀刻终止层上，其中该第一介电层的厚度大于所述多层结构与该蚀该终止层的总厚度；平坦化该第一介电层，使部分的该蚀刻终止层露出；蚀刻该第一介电层及该蚀刻终止层，以同时制造出多个局部内连线及多个接触窗，其中所述接触窗具有多个第一部分，其中所述接触窗的所述第一部分具有多个开口；沉积一第一导电层在所述接触窗的所述第一部分及所述局部内连线上；以化学机械研磨法平坦化该第一导电层，以移除不在所述局部内连线及所述接触窗的所述第一部分的所述开口上的该第一导电层；沉积一第二介电层在该第一导电层之上；在所述接触窗的所述第一部分上图案化所述接触窗的多个第二部分，并蚀刻该第二介电层，以在所述接触窗的所述第一部分上制造所述接触窗的所述第二部分的多个开口；以及在所述接触窗的所述第二部分中填入一第二导电层，其中该第二导电层与在所述接触的所述第一部分的所述窗开口处的该第一导电层接触。