| 发明名称 | 用于去除表面沉积物的远距腔室法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种改进的远距等离子清洗方法，该方法用于去除制造电子器件的沉积室的内部等表面的表面沉积物。所述改进涉及利用富含碳氟化合物的等离子对远距腔室至表面沉积物的通路的内表面进行预处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101052742A | 申请公布日期 | 2007.10.10 |
| 申请号 | CN200580009415.4 | 申请日期 | 2005.03.24 |
| 申请人 | 麻省理工学院 | 发明人 | H·H·萨温;B·白 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01);H01J37/32(2006.01) | 主分类号 | C23C16/44(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 林森 |
| 主权项 | 1.一种去除表面沉积物的方法，所述方法包括：(a)在远程腔室中将含有碳氟化合物和任选的氧气的预处理气体混合物活化，其中氧气和碳氟化合物的摩尔比小于1∶1，并且随后(b)将所述活化的预处理气体混合物与远程腔室至表面沉积物的通路的至少一部分内表面接触；(c)在远程腔室中将含有氧气和碳氟化合物的清洗气体混合物活化，其中氧气和碳氟化合物的摩尔比至少是1∶3；并且随后(d)将所述活化的清洗气体混合物通过所述通路；(e)将所述活化的清洗气体混合物与表面沉积物接触，由此去除至少某些所述表面沉积物。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||