用于绝缘体上硅半导体器件结构的FET结构及其形成方法

摘要

一种用于绝缘体上硅半导体器件结构的FET结构。该结构包括绝缘体上硅衬底结构。源和漏扩散区设置于绝缘体上硅衬底上。FET体区与源和漏扩散区互连。栅氧化区设置于体区及源和漏扩散区中至少一部分上。栅区设置于栅氧化区的至少一部分上。二极管与栅区和FET体区互连，提供这两者间的导电通道。二极管通过高阈值FET区与FET源和漏区及反型沟道电隔离。

主权项

1.一种用于绝缘体上硅半导体器件结构的FET结构，包括：绝缘体上硅衬底结构；绝缘体上硅衬底上的源和漏扩散区；与源和漏扩散区互连的体区；设置于体区及源和漏扩散区的至少一部分上的栅氧化区；设置于栅氧化区的至少一部分上的栅区；及与栅区和体区互连且提供两者间的导电通道的二极管；其中，通过在该FET的源区和漏区以及所述二极管之间包括高Vt掺杂阱，该高Vt掺杂阱夹在掺杂浓度低于该高Vt掺杂阱的第一区域之间，并通过增加至少与该高Vt掺杂阱接触的栅氧化物的厚度，从而局部提高在该FET的栅区之下延伸的二极管区域中该FET的阈值，使得所述二极管与所述FET的源和漏区电隔离；并且其中该二极管包括具有与源和漏扩散区相同导电性的区域，并且其中所述第一区域之一的掺杂浓度低于高Vt掺杂阱并与源和漏扩散区的导电性相反。