电子发射装置

摘要

一种电子发射装置，包括在基板上形成的栅电极。该栅电极位于第一平面。绝缘层在栅电极上形成。阴极在绝缘层上形成。电子发射区域与阴极电连接。该电子发射区域位于第二平面。此外，电子发射装置包括基本位于电子发射区域的第二平面的反电极。栅电极和反电极用于接收相同的电压，在至少一个电子发射区域和至少一个反电极之间的距离D满足如下条件：1(μm)≤D≤28.1553+1.7060t(μm)，其中t表示绝缘层的厚度。

主权项

1.一种电子发射装置，包括：多个在第一基板上形成的栅电极，该栅电极位于第一平面上；在所述栅电极上形成的绝缘层；多个在所述绝缘层上形成的阴极；多个与所述阴极电连接的电子发射区域，该电子发射区域位于第二平面上；以及多个基本位于所述电子发射区域的所述第二平面上的反电极；其中，所述栅电极和反电极用于接收相同的电压；以及，其中，在至少一个所述电子发射区域和至少一个所述反电极之间的距离D满足如下条件：1μm≤D≤28.1553μm+1.7060t，其中t表示所述绝缘层的厚度，该厚度为约0.5至30μm。