| 发明名称 | 官能化杂并苯和由其产生的电子器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电子器件，如包含例如通式(I)的半导体的薄膜晶体管，其中R表示烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或合适的烃；每个R<SUB>1</SUB>和R<SUB>2</SUB>独立地是氢(H)、合适的烃、含杂原子的基团或卤素；R<SUB>3</SUB>和R<SUB>4</SUB>独立地是合适的烃、含杂原子的基团或卤素；x和y表示基团的数目；Z表示硫、氧、硒或NR′，其中R′是氢、烷基或芳基；并且n和m表示重复单元的数目。 | ||
| 申请公布号 | CN101050269A | 申请公布日期 | 2007.10.10 |
| 申请号 | CN200710089882.3 | 申请日期 | 2007.04.05 |
| 申请人 | 施乐公司 | 发明人 | Y·李;Y·吴;B·S·翁;P·刘 |
| 分类号 | C08G61/12(2006.01);C07D333/52(2006.01);C08J7/02(2006.01);H01L51/00(2006.01);H01L51/05(2006.01);H01L51/30(2006.01) | 主分类号 | C08G61/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 韦欣华;赵苏林 |
| 主权项 | 1.一种包括半导材料的电子器件，该半导材料包含通式(I)的组分：<img file="A2007100898820002C1.GIF" wi="811" he="533" />其中R表示烷基、烷氧基、芳基、杂芳基或合适的烃；每个R<sub>1</sub>和R<sub>2</sub>独立地是氢、合适的烃、含杂原子的基团或卤素；R<sub>3</sub>和R<sub>4</sub>独立地是合适的烃、含杂原子的基团或卤素；x和y表示基团的数目；Z表示硫、氧、硒或NR′，其中R′是氢、烷基或芳基；并且n和m表示重复单元的数目。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||