| 发明名称 | 用于半导体晶片的抛光组合物 | ||
| 摘要 | 适用于抛光半导体晶片的水性组合物。该组合物包含可抑制碳氮化硅去除速率的非离子表面活性剂，且该非离子表面活性剂具有亲水基和疏水基。该疏水基具有大于3的碳链长度。如使用13.8kPa的垂直于晶片的微孔聚氨酯抛光垫板压力所测，该非离子表面活性剂对碳氮化硅去除速率的抑制比其对氮化硅去除速率的减小大至少100埃每分钟。 | ||
| 申请公布号 | CN100341966C | 申请公布日期 | 2007.10.10 |
| 申请号 | CN200410079743.9 | 申请日期 | 2004.09.16 |
| 申请人 | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 | 发明人 | 卞锦儒;J·匡西;M·R·万哈尼赫姆 |
| 分类号 | C09G1/00(2006.01);C09G1/02(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C09G1/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 范征 |
| 主权项 | 1.适用于抛光半导体晶片的水性组合物，该组合物包含可抑制碳氮化硅去除速率的非离子表面活性剂，该非离子表面活性剂具有亲水基和疏水基，该疏水基具有大于3的碳链长度，而且使用13.8kPa的垂直于晶片测量的微孔聚氨酯抛光垫压力所测，该非离子表面活性剂对碳氮化硅去除速率的抑制比其对氮化硅去除速率的抑制至少大100埃每分钟。 | ||
| 地址 | 美国特拉华 | ||