发明名称 Contact for memory cell
摘要 A contact for memory cells and integrated circuits having a conductive layer supported by the sidewall of a dielectric mesa, memory cells incorporating such a contact, and methods of forming such structures.
申请公布号 US2007232015(A1) 申请公布日期 2007.10.04
申请号 US20060396622 申请日期 2006.04.04
申请人 LIU JUN 发明人 LIU JUN
分类号 H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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