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发明名称
Contact for memory cell
摘要
A contact for memory cells and integrated circuits having a conductive layer supported by the sidewall of a dielectric mesa, memory cells incorporating such a contact, and methods of forming such structures.
申请公布号
US2007232015(A1)
申请公布日期
2007.10.04
申请号
US20060396622
申请日期
2006.04.04
申请人
LIU JUN
发明人
LIU JUN
分类号
H01L21/20
主分类号
H01L21/20
代理机构
代理人
主权项
地址
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