Charge-trapping-Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Charge-trapping-Bauelementes

摘要

Ein Charge-trapping-Bauelement umfasst einen Feldeffekttransistor, der Source- und Draingebiete aufweist. Die Source- und Draingebiete umfassen ein Dotierstoffkonzentrationsprofil, das einen Gradienten jeweils in einer vertikalen und einer seitlichen Richtung bezüglich einer Oberfläche eines Halbleitersubstrats aufweist. Der Gradient in der seitlichen Richtung in Richtung auf ein Verarmungsgebiet des Transistors ist größer als der Gradient in der vertikalen Richtung in Richtung auf ein Wannengebiet.