| 发明名称 |
Halbleiterbauteil mit Passivierungsschicht |
| 摘要 |
Semiconductor component comprises a passivation layer (6) over a semiconductor body (1) with a crack-forming structure (10,11) between them that encourages formation of cracks at defined positions (14) within the passivation layer when mechanical stresses arise within the layer. |
| 申请公布号 |
DE102004057238(B4) |
申请公布日期 |
2007.10.04 |
| 申请号 |
DE20041057238 |
申请日期 |
2004.11.26 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
GOELLNER, REINHARD;HARTNER, WALTER;BUSCH, JOERG |
| 分类号 |
H01L23/28;H01L23/52 |
主分类号 |
H01L23/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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