Technik zum Erzeugen einer unterschiedlichen mechanischen Verformung durch Bilden eines Kontaktätzstoppschichtstapels mit unterschiedlich modifizierter innerer Verspannung

摘要

Durch teilweises Entfernen einer Ätzstoppschicht und einer Beschichtung, die eine Ätzselektivität zu der Ätzstoppschicht aufweist, vor der Ausbildung einer ersten Kontaktätzstoppschicht kann ein verbesserter Spannungsübertragungsmechanismus in einem Integrationsschema zum Erzeugen einer Verformung mittels Kontaktätzstoppschichten bereitgestellt werden. Somit kann ein Halbleiterbauelement mit unterschiedlichen Transistortypen bereitgestellt werden, wobei ein hohes Maß an Metallsilizidintegrität sowie ein äußerst effizienter Spannungsübertragungsmechanismus erreicht wird.