| 发明名称 | 具有球形凹陷栅极的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法，包括：蚀刻部份衬底以形成凹陷；将聚合物层填入所述凹陷的下部；在所述凹陷下部上方的凹陷上形成侧壁间隔物；移除所述聚合物层；和各向同性蚀刻所述凹陷下部以形成球形凹陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101047119A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200710005661.3 | 申请日期 | 2007.03.08 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 赵俊熙 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/308(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：蚀刻部分衬底以形成凹陷；形成填充所述凹陷的下部的聚合物层；在第一凹陷的下部上方的凹陷侧壁上形成侧壁间隔物；移除所述聚合物层；和各向同性蚀刻所述凹陷的下部以形成球形第二凹陷。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||