| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明旨在提高半导体器件的可靠性。在该发明中，利用激光照射半导体晶片，使得在该半导体晶片的内部形成有断裂层，将该半导体晶片经由膏剂(粘合层)安装在划片胶带上，然后通过UV照射或冷却使该划片胶带的膏剂硬化，并随后使半导体晶片弯曲(断开)。通过该工艺，可以防止半导体芯片的移位和运动，因为在弯曲的时候膏剂已经硬化。作为结果，可以防止半导体芯片与相邻芯片相碰撞，并且也可以抑制半导体芯片产生碎裂；因此，可以提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101047146A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200710004327.6 | 申请日期 | 2007.01.23 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 阿部由之;武藤英生 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01);H01L21/301(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：(a)通过将激光照射到半导体晶片上，在所述半导体晶片的内部形成断裂层；(b)将所述半导体晶片经由粘合层安装在划片胶带上；(c)使所述划片胶带的所述粘合层硬化；(d)通过使所述半导体晶片弯曲，从所述断裂层开始分割所述半导体晶片；以及(e)通过从所述划片胶带的外围部分拉伸所述划片胶带，使芯片间距扩展。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||