发明名称 象素结构与薄膜晶体管阵列及其修补方法
摘要 一种象素结构与薄膜晶体管阵列及其修补方法,该薄膜晶体管阵列包括有基板、多个扫描配线、多个数据配线、多个薄膜晶体管、多个共用配线、多个上电极、多条连接线及多个象素电极。扫描配线与数据配线配置在基板上,将基板区分为多个象素区域。薄膜晶体管配置于象素区域内,其中薄膜晶体管藉由扫描配线及数据配线驱动且具有闸极、源极及汲极。共用配线配置在基板上且位于相邻的扫描配线之间。上电极配置于象素区域内且位于共用配线上方,其中上电极与共用配线耦合为储存电容。薄膜晶体管的汲极藉由连接线与上电极连接。象素电极配置于象素区域内且位于上电极与连接线上方,其中薄膜晶体管的汲极与象素电极电性连接,且连接线的部分区域上未覆盖象素电极。
申请公布号 CN100341155C 申请公布日期 2007.10.03
申请号 CN200410091076.6 申请日期 2004.11.16
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 来汉中
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L21/00(2006.01);G02F1/136(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿宁;张华辉
主权项 1、一种薄膜晶体管阵列,其特征在于其包括:一基板;多数个扫描配线,配置在该基板上;多数个数据配线,配置在该基板上,其中该些扫描配线与该些数据配线是将该基板区分为多数个象素区域;多数个薄膜晶体管,每一该些薄膜晶体管是配置于该些象素区域其中之一内,其中,该些薄膜晶体管是藉由该些扫描配线以及该些数据配线驱动,且每一该些薄膜晶体管具有一闸极、一源极以及一汲极;多数个共用配线,配置在该基板上,且每一该些共用配线是位于相邻的该些扫描配线之间;多数个上电极,每一该些上电极是配置于该些象素区域其中之一内,且每一该些上电极是位于每一该些共用配线上方,其中每一该些上电极是与该些共用配线其中之一耦合为一储存电容;多数条连接线,每一该些薄膜晶体管的该汲极是藉由该些连接线其中之一与该些上电极其中之一连接;以及多数个象素电极,每一该些象素电极是配置于该些象素区域其中之一内,且位于该些上电极其中之一与该些连接线其中之一上方,其中每一该些薄膜晶体管的该汲极是与该些象素电极其中之一电性连接,且每一该些连接线的一部分区域上未覆盖有该些象素电极。
地址 中国台湾