对向靶反应磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种对向靶反应磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法，属于薄膜制备技术。包括①玻璃和硅基片表面清洗。②若采用硅为基片，先在硅片表面用PECVD方法沉积一层氧化硅薄膜。③采用了具有靶材利用率高、溅射薄膜均匀的对向靶反应磁控溅射法沉积氧化钒薄膜，工艺条件为：背底真空＜3×10^-4Pa，氩氧比例100∶1～140∶1，溅射功率150W～240W，衬底温度为25～200℃。本发明方法的优点在于不需要进行高温热处理，只需改变溅射工艺条件就可以制备出具有高电阻温度系数和低室温电阻的氧化钒薄膜，简化了镀膜工艺。本方法制备的氧化钒薄膜在20～30℃之间的电阻温度系数能达到-3×10^-2K^-1以上，室温方块电阻在50KΩ/□以下，可用来制作低噪声的微热探测器件。

主权项

1.一种对向靶反应磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法，其特征在于包括以下过程：1)对玻璃基片或硅基片表面进行清洗：硅片清洗是将硅片在浓硫酸与双氧水按体积比3∶1混合的清洗液中浸泡40分钟，用去离子水冲洗硅片，然后用氨水、双氧水和去离子水按体积比1∶40∶50混合液浸泡硅片30分钟，再用去离子水冲洗，烘干备用；玻璃基片清洗过程，用丙酮进行超声清洗，经去离子水冲洗，然后用乙醇超声清洗，再经去离子水冲洗，烘干备用；2)采用硅片为基片，先在硅片表面采用等离子体增强化学气相沉积方法沉积一层氧化硅薄膜；3)制备氧化钒薄膜：真空室内高纯金属钒靶材对向放置，将玻璃基片或硅基片置于基片架上，背底真空＜3×10-4Pa，以流量体积比为100∶1～140∶1的氩气和氧气通入真空室至工作气压1.5～2Pa，并以溅射功率为190～240W，基片温度为25～200℃，溅射时间为30～75分钟溅射成膜。