| 发明名称 | 高初始磁导率、低损耗NiZn铁氧体材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高初始磁导率、低损耗的NiZn铁氧体及其制备方法，该铁氧体主成分以氧化物计算为：Fe<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 40～50mol％、NiO10～18mol％、ZnO 30～38mol％、Mn<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB> 0～5mol％、CuO 0～10mol％，辅助成份V<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>为0～1wt％，Mo<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>为0～0.5wt％。本发明可制备出起始磁导率大于2500、比损耗小于20×10<SUP>-6</SUP>(100kHz)、比温度系数小于4×10<SUP>-6</SUP>/℃(25～65℃)、居里温度大于100℃的高磁导率NiZn铁氧体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN100340525C | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200510060652.5 | 申请日期 | 2005.09.06 |
| 申请人 | 横店集团东磁有限公司 | 发明人 | 何时金;包大新;张涛;葛蕴刚 |
| 分类号 | C04B35/26(2006.01) | 主分类号 | C04B35/26(2006.01) |
| 代理机构 | 杭州杭诚专利事务所有限公司 | 代理人 | 尉伟敏 |
| 主权项 | 1.一种高初始磁导率、低损耗的NiZn铁氧体材料，其主成分及按摩尔百分比的含量以氧化物计算为：Fe2O3为44～50mol％；NiO为10～18mol％；ZnO为30～38mol％；Mn3O4为0～5mol％；但不包括0；CuO为0～10mol％；但不包括0；辅助成分及按重量百分比的含量以氧化物计算为：V2O50～1wt％；Mo2O30～0.5wt％；但不包括0。 | ||
| 地址 | 322118浙江省东阳县横店工业区东磁有限公司 | ||