| 发明名称 | 高效发光二极管 | ||
| 摘要 | 提供一种高效发光二极管。该发光二极管包括一衬底；一第一化合物半导体，其被形成在衬底的上表面；一第一电极层，其被形成在第一化合物半导体层的一个区域之上；一有源层，其被形成在第一化合物半导体层中除去第一电极层所占区域的其余区域之上，从有源层中产生430nm或更短波长的光线；一第二化合物半导体层，其被形成在有源层上；一第二电极层，其被形成在第二化合物半导体层上，并具有相对于衬底上表面面积的20％-80％的填充率。通过在20％-80％的范围内调整P型第二电极的尺寸，可以增强发射波长为430nm或更短波长光线的发光二极管的发光效应。 | ||
| 申请公布号 | CN100341159C | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN03136821.2 | 申请日期 | 2003.05.19 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 赵济熙;吴惠晶 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种发光二极管，包括：一衬底；一第一化合物半导体层，其被形成在衬底的上表面；一第一电极层，其被形成在第一化合物半导体层的一区域之上；一有源层，其被形成在第一化合物半导体层中除了第一电极层所占区域的其余区域之上，其中产生430nm或更短波长的光线；一第二化合物半导体层，其被形成在有源层上；以及一第二电极层，其被形成在第二化合物半导体层上，并且所述第二电极层的面积相对于所述衬底的上表面的比率为20％-80％。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||