发明名称 |
薄膜形成方法和系统 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜形成方法,该方法包括如下步骤:(1)固持至少一个物体在真空室中;(2)沉积一种成膜材料在所述物体上;(3)在沉积成膜材料的同时蚀刻所述成膜材料;在本发明中,所述沉积与蚀刻过程是同时进行的。所述沉积过程是通过置备一个成膜靶材而进行的。所述蚀刻过程包括如下步骤:在所述真空室中置备具有特定压力的惰性或活性气体;离子化所述气体产生蚀刻离子束轰击所述物体。本发明同时公开了一种实现上述方法的系统。 |
申请公布号 |
CN100341047C |
申请公布日期 |
2007.10.03 |
申请号 |
CN03159543.X |
申请日期 |
2003.09.17 |
申请人 |
新科实业有限公司 |
发明人 |
方宏新;马洪涛;张柏清;陈宝华;丘德利·所门 |
分类号 |
G11B5/127(2006.01);G11B5/84(2006.01);C23C16/44(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/127(2006.01) |
代理机构 |
广州三环专利代理有限公司 |
代理人 |
戴建波 |
主权项 |
1.一种薄膜形成方法,包括如下步骤:固持至少一个物体在真空室中;沉积一种成膜材料在所述物体上;在沉积成膜材料时对所述成膜材料进行蚀刻,所述沉积与蚀刻过程被控制成同时进行;所述沉积过程是通过置备一个成膜靶材并发射离子束轰击该成膜靶材而进行的;所述蚀刻过程包括如下步骤:在所述真空室中制备具有特定压力的惰性或活性气体;离子化所述气体产生蚀刻离子束轰击所述物体。 |
地址 |
中国香港新界沙田香港科学园科技大道东六号新科中心 |