一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路

摘要

本发明公开了一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路，该电路包括电压比较器电路和电流泻放电路。电压比较器电路包括PMOS管P1，P3和电阻R2，R3，用于检测和比较电压值；电流泻放电路包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1，用于泻放静电脉冲和射频高压。本发明减小了输入节点寄生电容，避免了出现高频信号的延时效应，并避免了出现主保护管还没有工作而次保护管就已烧毁的情况，提高了电路的稳定性。此外，本发明不仅能实现ESD保护功能还能起到射频限压的作用，仅用一个电路就实现了两种功能，特别适合应用于无源RFID标签芯片。本发明在减少面积降低功耗的同时，还提升了ESD保护电路的保护性能，进一步提高了整个标签芯片的使用寿命。

主权项

1、一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路，其特征在于：该电路包括电压比较器电路(1)和电流泻放电路(2)；电压比较器电路(1)用于检测和比较电压值，它包括PMOS管P1，P3和电阻R2，R3，PMOS管P1，P3的栅极和漏极相连，形成正偏二极管结构，并串联在一起，PMOS管P3的漏极和电阻R2的一端连接，控制节点DS位于PMOS管P3的漏极和电阻R2的连线上，电阻R2的另一端则与最低电位连接，电阻R3一端与PMOS管P1源极相连，另一端连接到检测节点TDD；电流泻放电路(2)用于泻放静电脉冲和射频高压，它包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1，NMOS管N1栅极与控制节点DS相连，漏极连接到输入节点PAD，源极与最低电位连接，NMOS管N2漏极与电源VCC相连，栅极和源极连接形成反偏二极管结构，并与最低电位相连，二极管D1的正极连接到输入节点PAD，负极连接到电源VCC。