发明名称 | 可变电容器 | ||
摘要 | 一种可变电容器,位于一衬底上,此可变电容器包括一下电极,一上电极,一第一介电层以及一导体层。其中,下电极具有位于该衬底中排列成一阵列的多个掺杂区,而此阵列具有多行与多列,且相邻两行的掺杂区交替排列。上电极则位于衬底上方,且上电极由多个电极位置所构成,而上电极具有多个开口,每一开口裸露相对应的掺杂区,其中每一电极位置直接被三个掺杂区包围。第一介电层位于衬底与上电极之间。导体层位于该上电极上方,其中导体层与上电极电性隔离且导体层与掺杂区经由开口与掺杂区电性连结。 | ||
申请公布号 | CN101047210A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
申请号 | CN200610071522.6 | 申请日期 | 2006.03.29 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 洪建州;曾华洲 |
分类号 | H01L29/94(2006.01) | 主分类号 | H01L29/94(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
主权项 | 1.一种可变电容器,位于一衬底上,其包括:一下电极,具有位于该衬底中排列成一阵列的多个掺杂区,其中该阵列具有多行与多列,且相邻两行的该些掺杂区交替排列;一上电极,位于该衬底上方,且该上电极由多个电极位置所构成,而该上电极具有多个开口,每一该些开口裸露相对应的该掺杂区,其中每一该些电极位置直接被三个掺杂区包围;一第一介电层,位于该衬底与该上电极之间;以及一导体层,位于该上电极上方,其中该导体层与该上电极电性隔离且该导体层与该些掺杂区经由该些开口与该些掺杂区电性连结。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 |