| 发明名称 | 半导体激光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件，在半导体衬底(101)上具有从距半导体衬底(101)较近的一侧依次层叠第一包覆层(103)、活性层(104)及第二包覆层(105)而成的叠层结构。第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，对半导体衬底(101)具有压缩应变，并且第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，包含对半导体衬底(101)具有拉伸应变的半导体层(106)。因此，能够提供一种具有能够提高元件可靠性的结构的半导体激光元件。 | ||
| 申请公布号 | CN101047301A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200710088516.6 | 申请日期 | 2007.03.14 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 藤本康弘;高山彻;村泽智;中山久志;木户口勋 |
| 分类号 | H01S5/30(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01S5/30(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光元件，在半导体衬底上具有从距所述半导体衬底较近的一侧依次层叠第一包覆层、活性层及第二包覆层而成的叠层结构，其特征在于：所述第一包覆层和所述第二包覆层中的至少一个，对所述半导体衬底具有压缩应变，并且所述第一包覆层和所述第二包覆层中的至少一个，包含对所述半导体衬底具有拉伸应变的半导体层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||