磁阻随机存取存储器器件结构以及用于制造该结构的方法

摘要

提供了磁电子存储器元件结构和用于制造该结构的方法，其使用阻挡层作为材料移除停止层。该方法包括形成数位线(26)，其至少部分地安置在介电层(24)中。介电材料层位于互连叠层上面。淀积传导阻挡层(40、42)，其具有第一部分(40)和第二部分(42)。第一部分位于数位线上面，而第二部分安置在空隙空间中并且与互连叠层电气连通。在第一部分上形成存储器元件层(46)，并且在存储器元件层上面淀积电极层(48)。然后构图和刻蚀电极层和存储器元件层。

主权项

1.一种用于制造磁电子存储器元件结构的方法，该方法包括：制造互连叠层，其与至少一个晶体管电气连通；形成数位线，其至少部分地安置在第一介电材料层中，所述第一介电材料层位于所述互连叠层上面；刻蚀所述第一介电材料层中的空隙空间，以暴露所述互连叠层；淀积传导阻挡层，其具有第一部分和第二部分，所述传导阻挡层的所述第一部分位于所述数位线上面，并且所述传导阻挡层的所述第二部分安置在所述空隙空间中并且与所述互连叠层电气连通；在所述传导阻挡层的所述第一部分上面形成磁存储器元件层；在所述磁存储器元件层上面淀积电极层；构图和刻蚀所述电极层，以在所述数位线上面形成电极；以及构图和刻蚀所述磁存储器元件层。