| 发明名称 | 非易失性半导体存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及非易失性半导体存储器件及其制造方法，其目的是提供一种防止由于在蚀刻层间绝缘膜时蚀刻半导体层而导致接触电阻值升高，从而具有优越的写入特性和电荷保持特性的非易失性半导体存储器件及其制造方法。在源区或漏区和源极或漏极布线之间提供导电层。导电层由形成控制栅电极的同一导电层形成。提供绝缘膜以覆盖所述导电层，该绝缘膜具有暴露所述导电层的一部分的接触孔。形成源极或漏极布线以填充接触孔。 | ||
| 申请公布号 | CN101047190A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200710091492.X | 申请日期 | 2007.03.30 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 浅见良信 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L29/40(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李春晖 |
| 主权项 | 1.一种非易失性半导体存储器件，包括：包括沟道形成区、源区和漏区的半导体层；覆盖部分源区、部分漏区和沟道形成区的第一绝缘膜；形成在第一绝缘膜上的浮动栅电极；覆盖浮动栅电极的第二绝缘膜；形成在第二绝缘膜上的控制栅电极；形成在源区上的第一导电层以及形成在漏区上的第二导电层；形成在第二绝缘膜、控制栅电极、第一导电层和第二导电层上的第三绝缘膜；以及形成在第三绝缘膜上的至少一个电极，其通过第三绝缘膜的接触孔与第一导电层和第二导电层中的一个接触。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||