| 发明名称 | 绝缘膜形成方法及基板处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101048858A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200580036456.2 | 申请日期 | 2005.11.02 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 佐藤吉宏;中山友绘;小林浩;大崎良规;高桥哲朗 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/318(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种绝缘膜形成方法，其特征在于，包括：对被处理基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理的氮化处理工序；以及在667Pa以下的压力下对氮化处理后的被处理基板实施退火处理的退火处理工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||