| 发明名称 | 一种P型杂质源的制备及掺杂工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种P型杂质源的制备及掺杂工艺，先将液态硝酸铝镓源涂布在N型硅片上，然后置于扩散炉，采用开管系统，在氮气氛保护下经一次高温连续完成P型扩散。所述的液态硝酸铝镓源是先将高纯镓或氧化镓0.8-1.5重量份和高纯铝粉或氧化铝0.5-1重量份与硝酸在反应容器中生成固态硝酸铝镓源，然后将固态硝酸铝镓源溶入无水乙醇而成。工艺简单，操作方便、扩散均匀和重复性较好，杂质浓度分布较理想，成本较低，合格率提高5～10％。 | ||
| 申请公布号 | CN100341117C | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200510043801.7 | 申请日期 | 2005.06.09 |
| 申请人 | 山东师范大学 | 发明人 | 刘秀喜 |
| 分类号 | H01L21/228(2006.01) | 主分类号 | H01L21/228(2006.01) |
| 代理机构 | 济南圣达专利商标事务所 | 代理人 | 郑华清 |
| 主权项 | 1、一种P型杂质源的制备及掺杂工艺，其特征在于先将液态硝酸铝镓源涂布在N型硅片上，然后置于扩散炉，采用开管系统，在氮气氛保护下经一次1200-1260℃的高温连续完成P型扩散。 | ||
| 地址 | 250014山东省济南市历下区文化东路88号 | ||