| 发明名称 | SiCp/AZ61复合材料半固态制备方法 | ||
| 摘要 | 一种SiCp/AZ61复合材料半固态制备方法，属镁合金复合材料的制备方法领域，其特征是在采用熔剂覆盖和氩气保护的条件下，将AZ61镁合金放入钢坩埚中，加热完全熔化，接着使熔体温度降到590℃～595℃，去掉氧化层，按SiC颗粒的体积分数为3％～9％的量，加入平均粒度为10μm～20μm的预热温度为250℃～300℃、保温时间120min～180min的SiC颗粒，搅拌3～10min，再将温度迅速升到680℃～700℃，本发明工艺简单，操作方便，且设备投入少，生产成本低，适宜大规模生产。 | ||
| 申请公布号 | CN101045965A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200710068156.3 | 申请日期 | 2007.04.16 |
| 申请人 | 南昌大学 | 发明人 | 闫洪;张发云 |
| 分类号 | C22C1/02(2006.01);C22C23/00(2006.01) | 主分类号 | C22C1/02(2006.01) |
| 代理机构 | 南昌新天下专利代理有限公司 | 代理人 | 施秀瑾 |
| 主权项 | 1、一种SiCp/AZ61复合材料半固态制备方法，其特征是在采用熔剂覆盖和氩气保护的条件下，将AZ61镁合金放入钢坩埚中，加热完全熔化，接着使熔体温度降到590℃～595℃，去掉氧化层，按SiC颗粒的体积分数为3％～9％的量，加入平均粒度为10μm～20μm的预热温度为250℃～300℃、保温时间120min～180min的SiC颗粒，搅拌3～10min，再将温度迅速升到680℃～700℃。 | ||
| 地址 | 330031江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号南昌大学科技处 | ||