| 发明名称 | 通过测量键合速度自动检测晶片表面质量的装置和方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种装置，该装置通过测量两个晶片(11和12)的待检测的表面键合速度检测晶片的表面质量，其特征在于用于探测键合开始的自动装置和用于探测键合瞬间的自动装置。本发明还涉及相关的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100341130C | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN03124334.7 | 申请日期 | 2003.04.30 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | C·马勒维尔;F·梅特特尔 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种用于检测晶片表面质量的装置，其应用两个晶片(11，12)之间限定的键合界面(13)的键合速度检测晶片的表面质量，其特征在于所述的装置包括用于自动探测键合开始的装置和用于自动探测在相关测量位置键合波通过的装置，并且所述的装置还包括可以计算键合界面的每个测量位置的瞬间键合速度的处理单元。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||