| 发明名称 | Ⅲ族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体、基于氮化镓的化合物半导体发光器件、以及使用半导体发光器件的光源 | ||
| 摘要 | 一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积III族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN100341115C | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN01802460.2 | 申请日期 | 2001.08.17 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 浦岛泰人;奥山峰夫;桜井哲朗;三木久幸 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 1.一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括：在衬底表面上淀积III族金属微粒的第一步骤；在含有氮源的气氛中氮化微粒的第二步骤；以及使用汽相生长法在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的第三步骤，III族氮化物半导体晶体用InxGayAlzN表示，其中x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||