半导体外延片性能自动测试装置及其测试方法

摘要

本发明涉及一种半导体外延片性能自动测试装置，在于由计算机、控制电路、外延片、测磁探头、测量电路、控温箱、电磁铁、恒流电源、电流倒向电路共同连接构成，本发明还涉及所述装置用于半导体外延片性能自动测试方法。本发明的外延片在恒温盒内可以变温，实现在不同温度下进行测量；利用计算机自动控制电磁铁的电源连续变化；计算机自动测量磁场数值，自动测量外延片的霍尔参数；其测量准确、快速。

主权项

1、一种半导体外延片性能自动测试装置，其特征在于由计算机、控制电路、外延片、测磁探头、测量电路、控温箱、电磁铁、恒流电源、电流倒向电路共同连接构成，其相互连接关系为：计算机的输出控制线与控制电路的输入线相电气连接；控制电路的输出控制线与测量电路、电流倒向电路的输入线相电气连接；外延片的输入控制线与恒流电源的输出线相电气连接；外延片的输出控制线与测量电路的输入线相电气连接；测磁探头的输入控制线与测量电路的输入线相电气连接；电磁铁的输入控制线与电流倒向电路的输出控制线相电气连接；电流倒向电路的输入控制线与恒流电源的输出控制线相互电气连接；控温箱由控温柜和控温盒相互连接构成，控温盒放置在电磁铁的磁极之间；所述控制电路由计算机PCI总线接口电路IC4构成；测量电路由磁场测量和外延片参数测量电路共同电气连接构成，其中，磁场测量电路由霍尔元件H1、恒流源电路IC1、运算放大器IC1C、电阻R5～R7、模拟/数字转换器IC3共同电气连接构成；外延片参数测量电路由外延片WYP1、继电器J1～J10、恒流电源DY1、电阻R1～R3、运算放大器IC1B、模拟/数字转换器IC2共同电气连接构成；电流倒向电路由继电器J11构成。