| 发明名称 | 高纯度磷酸及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高纯度磷酸，其特征在于，将H<SUB>3</SUB>PO<SUB>4</SUB>的浓度换算为85重量％时，杂质含量为，Sb在200ppb以下，且二价硫离子在200ppb以下。本发明的高纯度磷酸作为具有氮化硅膜的半导体元件的蚀刻液、具有氧化铝膜的液晶显示器的蚀刻液、金属铝蚀刻液、陶瓷用氧化铝蚀刻液、光纤玻璃用磷酸玻璃原料、食品添加剂等有很好的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN100340474C | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200480001599.5 | 申请日期 | 2004.06.28 |
| 申请人 | 日本化学工业株式会社 | 发明人 | 石川贤一;横井敬三;竹内宏介;栗田裕;内山平二 |
| 分类号 | C01B25/238(2006.01);C01B25/20(2006.01) | 主分类号 | C01B25/238(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种高纯度磷酸，其特征在于，将H3PO4的浓度换算为85重量％时，杂质含量为，Sb在200ppb以下，二价硫离子在200ppb以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||