| 发明名称 | 使用纳米颗粒的顶栅薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造使用纳米颗粒的薄膜晶体管的方法以及通过该方法制造的薄膜晶体管。在衬底上沉积亲水性缓冲层，以促进纳米颗粒膜的形成。将烧结的纳米颗粒用作有源层，将高介电系数的介电材料用作栅极介电层，以在栅极介电层上形成顶栅电极，由此能够实现低电压运行和低温制造。 | ||
| 申请公布号 | CN101047130A | 申请公布日期 | 2007.10.03 |
| 申请号 | CN200710000776.3 | 申请日期 | 2007.01.19 |
| 申请人 | 高丽大学校算学协力团 | 发明人 | 金相植;赵庚娥;金东垣;张宰源 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾晋伟;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种制造使用纳米颗粒的薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底上形成纳米颗粒膜并烧结所述衬底上的纳米颗粒膜；在纳米颗粒膜上形成源和漏电极；通过在其上形成有源和漏电极的纳米颗粒膜上沉积介电材料来形成栅极介电膜；和在栅极介电膜上形成顶栅电极。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||